尽管 2012年整体电子产业表现不佳，但仍有许多表现优秀的新创公司从各个技术领域冒出头来;以下盘点值得在 2013年继续关注其动态的十家具潜力新创公司，它们擅长的领域涵盖处理器、存储器、半导体制程、芯片架构、EDA、微机电(MEMS)、RF、触控屏幕、伺服器以及物联网(IoT)。 钽电容

　　碳奈米管记忆体专家Nantero

　　总部位于美国麻州的 Nantero 成立于2001年，专长于碳奈米管(carbon nanotubes)非挥发性记忆体技术;该公司在2006年曾以沟槽式(trench-based)元件架构引发话题，但之后又归于沉寂。直到2012年，该公司将元件架构改为更具可扩展性的通孔(in-via)架构，并宣佈从两家策略伙伴募得1,000万美元额外资金。AVX钽电容

　　Nantero的碳奈米管可变电组记忆体架构横切面，这种架构可望微缩至15奈米甚至是5奈米节点

　　新一代电晶体专家SuVolta

　　总部位于美国加州的SuVolta在2005年成立时名为DSM Solutions，一开始塬本计画进军创新型态的接面场效电晶体(junction FET)市场，后来经歷了一次重新评估，并在2011年Scott Thompson任职该公司技术长后，以掺杂(doping)技术推出全耗尽平面电晶体(fully-depleted planar transistor)架构，取代过去其他业者使用绝缘上覆硅晶圆的方式(即FD-SOI)。KEMET钽电容

　　确实，SuVolta的PowerShrink电晶体所具备的深度耗尽通道可望提供FinFET与FD-SOI之外的n通道FET方案，但看来目前并没有任何一家领先级IDM厂商或晶圆代工业者想尝试。不过Globalfoundries执行长Ajit Manocha已经表示，该公司正在评估FinFET与FD-SOI之外的第叁种製程──super-steep retrograde well (SSRW)，基本上就是SuVolta所开发的技术。国巨电容

　　SuVolta 的PowerShrink电晶体架构

　　目前尚不清楚Globalfoundries是否与SuVolta合作，或是两者是各自独立开发;无论是哪种情况，SuVolta的未来发展都值得继续关注。SuVolta的PowerShrink电晶体製程可提供与FD-SOI类似的优势，但不需要使用SOI晶圆;该种电晶体亦能达到部分FinFET的优势。三星电容

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