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AVX钽电容的化学原理
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编辑： 浏览：1140 时间：2013-12-13
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描述这一过程的化学方程式为如下：钽阳极：2打→2 TA5+10 E -2 TA5+10的OH -→钽+5水铌氧化物阳极：2 NBO→2 NbO3+ E -2 NbO3++ OH-→铌+3 H2O阴极：钽：10水 - 10 E→5H2+10 OHNiobium氧化物：6水 - 6 E -→3H2+6 OHThe氧化物，但它也长成的材料。 钽电容 对于每一个单位生长氧化三分之二和三分之一的增长。它是这个原因，有一个最高电压等级的限制与目前的钽和氧化铌电容技术粉末。介质下运作的高电应力。考虑220μF6V部分：形成形成电压=比X工作电压= 3.5× 6= 21伏特钽：五氧化二磷（钽）介质的速度增长1.7 ×10-9米/ V介电层厚度（D）= 21× 1.7 ×10-9= 0.036微米电场强度=工作电压/ D=167千伏/毫米
氧化铌（铌）介质的速度增长2.4 ×10-9米/ V介电层厚度（D）=21×2.4 ×10-9= 0.050微米电场强度=工作电压/ D=120千伏/毫米下一阶段是阴极板的生产。这是通过硝酸锰热解成二氧化锰。“颗粒”是硝酸盐水溶液和浸入然后在烤箱烤约250° C到生产二氧化碳大衣。化学方程式是：锰（NO3）2→二氧化锰+2NO2 - 这个过程重复几次通过不同硝酸盐的具体密度，建立厚厚的棉衣“沉淀”，所有内部和外部表面所示。二氧化锰层“沉淀”，然后蘸成石墨和银提供了良好的连接，以二氧化锰阴极板。电气接触是建立由沉积在阴极表面上的碳。碳然后涂上导电材料，以方便连接阴极终止。包装进行，以满足个人的规范和客户要求。这种制造技术是坚持对整个 AVX钽电容 钽电容 ，它可分为范围四个基本群体：芯片/树脂蘸/长方形盒装/ 钽电解电容的生产上的进一步信息可从技术文件“基本钽科技“
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